酸性蝕刻液怎麼打折扣

1. 酸性蝕刻液比重是多少

鹽酸/氯酸鈉的蝕刻子液（氧化劑）比重為1.25左右
槽液一般在1.29——1.35

2. 什麼是酸性蝕刻液

酸性氯化銅蝕刻液 1) 蝕刻機理： Cu+CuCl2→Cu2Cl2 Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2- 2) 影響蝕刻速率的因素：影響蝕刻速率的主要因素是溶液中-、Cu+、Cu2+的含量及蝕刻液的溫度等。 a、Cl-含量的影響：溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關系，當鹽酸濃度升高時，蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3，並且能夠提高溶銅量。但是，鹽酸濃度不可超過6N，高於6N鹽酸的揮發量大且對設備腐蝕，並且隨著酸濃度的增加，氯化銅的溶解度迅速降低。 添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是：在氯化銅溶液中發生銅的蝕刻反應時，生成的Cu2Cl2不易溶於水，則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜，這種膜能夠阻止反應的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡合形成可溶性的絡離子(CuCl3)2-，從銅表面上溶解下來，從而提高了蝕刻速率。 b、Cu+含量的影響：根據蝕刻反應機理，隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會顯著的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的范圍內。 c、Cu2+含量的影響：溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下，溶液中Cu2+濃度低於2mol/L時，蝕刻速率較低；在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應的不斷進行，蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當銅含量增加到一定濃度時，蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恆定的蝕刻速率，必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內。 d、溫度對蝕刻速率的影響：隨著溫度的升高，蝕刻速率加快，但是溫度也不宜過高，一般控制在45~55℃范圍內。溫度太高會引起HCl過多地揮發，造成溶液組分比例失調。另外，如果蝕刻液溫度過高，某些抗蝕層會被損壞。

3. 線路板酸性蝕刻液結晶是什麼原因

你是用的氯酸鈉+鹽酸體系吧，這種蝕刻液濃度一般就1-3N，氯酸鈉0℃在專水中的溶解度為79g，還是很屬大的，根本不會結晶的。
問題是蝕刻時發生反應，6CuCl
+
NaClO3
+
6HCl
→
6CuCl2
+
3H2O
+
NaCl
（在1~3N的酸性液中）
雖然氯化銅和氯化鈉的溶解度都比較大，但是那水裡面就已經含有大量的氯離子（原因就是同離子效應），大量氯離子的存在會抑制氯化銅和氯化鈉的溶解呀。所以咱認為結晶的應該是氯化銅和氯化鈉的混合物。

4. 什麼叫酸性蝕刻液

蝕刻液分類
目前已經使用的蝕刻液類型有六種類型： 酸性氯化銅 鹼性氯化銅 氯化鐵 過硫酸銨 硫酸/鉻酸 硫酸/雙氧水蝕刻液。
編輯本段各種蝕刻液特點
酸性氯化銅蝕刻液
1) 蝕刻機理： Cu+CuCl2→Cu2Cl2 Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2- 2) 影響蝕刻速率的因素：影響蝕刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蝕刻液的溫度等。 a、Cl-含量的影響：溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關系，當鹽酸濃度升高時，蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3，並且能夠提高溶銅量。但是，鹽酸濃度不可超過6N，高於6N鹽酸的揮發量大且對設備腐蝕，並且隨著酸濃度的增加，氯化銅的溶解度迅速降低。 添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是：在氯化銅溶液中發生銅的蝕刻反應時，生成的Cu2Cl2不易溶於水，則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜，這種膜能夠阻止反應的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡合形成可溶性的絡離子(CuCl3)2-，從銅表面上溶解下來，從而提高了蝕刻速率。 b、Cu+含量的影響：根據蝕刻反應機理，隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會顯著的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的范圍內。 c、Cu2+含量的影響：溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下，溶液中Cu2+濃度低於2mol/L時，蝕刻速率較低；在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應的不斷進行，蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當銅含量增加到一定濃度時，蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恆定的蝕刻速率，必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內。 d、溫度對蝕刻速率的影響：隨著溫度的升高，蝕刻速率加快，但是溫度也不宜過高，一般控制在45~55℃范圍內。溫度太高會引起HCl過多地揮發，造成溶液組分比例失調。另外，如果蝕刻液溫度過高，某些抗蝕層會被損壞。
鹼性氯化銅蝕刻液
1) 蝕刻機理： CuCl2+4NH3→Cu(NH3)4Cl2 Cu(NH3)4Cl2+Cu→2Cu(NH3)2Cl 2) 影響蝕刻速率的因素：蝕刻液中的Cu2+濃度、pH值、氯化銨濃度以及蝕刻液的溫度對蝕刻速率均有影響。 a、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關系表明：在0~82g/L時，蝕刻時間長；在82~120g/L時，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時，蝕刻速率高且溶液穩定；在165~225g/L時，溶液不穩定，趨向於產生沉澱。 b、溶液pH值的影響：蝕刻液的pH值應保持在8.0~8.8之間，當pH值降到8.0以下時，一方面對金屬抗蝕層不利；另一方面，蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子，溶液要出現沉澱，並在槽底形成泥狀沉澱，這些泥狀沉澱能在加熱器上結成硬皮，可能損壞加熱器，還會堵塞泵和噴嘴，給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過高，蝕刻液中氨過飽和，游離氨釋放到大氣中，導致環境污染；同時，溶液的pH值增大也會增大側蝕的程度，從而影響蝕刻的精度。 c、氯化銨含量的影響：通過蝕刻再生的化學反應可以看出：[Cu(NH3)2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生，蝕刻速率就會降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。隨著蝕刻的進行，要不斷補加氯化銨。 d、溫度的影響：蝕刻速率與溫度有很大關系，蝕刻速率隨著溫度的升高而加快。蝕刻液溫度低於40℃，蝕刻速率很慢，而蝕刻速率過慢會增大側蝕量，影響蝕刻質量；溫度高於60℃，蝕刻速率明顯增大，但NH3的揮發量也大大增加，導致污染環境並使蝕刻液中化學組分比例失調。故溫度一般控制在45~55℃為宜。
氯化鐵蝕刻液
1) 蝕刻機理： FeCl3+Cu→FeCl2+CuCl FeCl3+CuCl→FeCl2+CuCl2 CuCl2+Cu→2 CuCl 2) 影響蝕刻速率的因素： a、Fe3+濃度的影響：Fe3+的濃度對蝕刻速率有很大的影響。蝕刻液中Fe3+濃度逐漸增加，對銅的蝕刻速率相應加快。當所含超過某一濃度時，由於溶液粘度增加，蝕刻速率反而有所降低。 b、蝕刻液溫度的影響：蝕刻液溫度越高，蝕刻速率越快，溫度的選擇應以不損壞抗蝕層為原則，一般在40~50℃為宜。 c、鹽酸添加量的影響：在蝕刻液中加入鹽酸，可以抑制FeCl3水解，並可提高蝕刻速率，尤其是當溶銅量達到37.4g/L後，鹽酸的作用更明顯。但是鹽酸的添加量要適當，酸度太高，會導致液態光致抗蝕劑塗層的破壞。 d、蝕刻液的攪拌：靜止蝕刻的效率和質量都是很差的，原因是在蝕刻過程中在板面和溶液里會有沉澱生成，而使溶液呈暗綠色，這些沉澱會影響進一步的蝕刻。
過硫酸銨蝕刻液
蝕刻機理： Cu+(NH4)2S2O8→CuSO4+(NH4)2SO4 (NH4)2S2O8+H2O→H2SO4+(NH4)2SO4+(O) Cu+(O) + H2SO4→CuSO4+H2O 若添加銀作為催化劑， Ag++ S2O82-→2SO42-+ Ag3+ Ag3++Cu→Cu2++ Ag+
硫酸/鉻酸蝕刻液
蝕刻機理： CrO3+H2O→H2CrO4 2H2CrO4+3Cu→Cr2O3+3CuO+2H2O Cr2O3+3CuO+6H2SO4→Cr2(SO4)3+3CuSO4+6H2O 總反應式為：2CrO3+3Cu+6H2SO4→Cr2(SO4)3+3CuSO4+6H2O
硫酸/雙氧水蝕刻液
蝕刻機理： H2O2→H2O+(O) Cu+(O) →CuO CuO+H2SO4→H2O+CuSO4 總反應式為：Cu+H2O2+H2SO4→2H2O+CuSO4 2、 蝕刻工藝流程 應用酸性蝕刻液進行蝕刻的典型工藝流程如下： 印製正圖像的印製板→檢查修版→鹼性清洗（可選擇）→水洗→表面微蝕刻（可選擇）→水洗→檢查→酸性蝕刻→水洗→酸性清洗例如5%～10%HCl→水洗→吹乾→檢查→去膜 ↑ 再生 應用鹼性蝕刻液進行蝕刻的典型工藝流程如下： 鍍覆金屬抗蝕層的印製板→去膜→水洗→吹乾→檢查修版→鹼性蝕刻→用不含Cu2+的補加液二次蝕刻→水洗→吹乾→檢查

5. 酸性蝕刻液同時出現側蝕毛邊是什麼原因十萬火急在蝕

酸性蝕刻液同時出現側蝕毛邊是什麼原因十萬火急在蝕
可能是蝕刻液沒勁了吧，我們是加鹽酸。
不過要深度的話就是容易有側腐蝕。

6. 酸性蝕刻液開缸的步驟及各種葯水的含量應該是多少

我司有全套的酸性蝕刻液工藝解決方案（包括開缸保養及葯水參數資料)，如有需要可以發郵件到[email protected]

7. 酸性蝕刻液容易側蝕，應該怎樣調整葯水

可能是蝕刻液沒勁了吧，我們是加鹽酸。
不過要深度的話就是容易有側腐蝕。

8. 酸性蝕刻葯水結晶怎麼處理

目前比較普遍的都是酸式，因為這樣可以減少圖形電鍍的過程，只進行一次電鍍即可。

9. 為什麼CuCl2酸性蝕刻液蝕刻速率會下降

酸性蝕刻液的主要成份：CuCL2.2H2O, HCl,NaCl,NH4Cl,H2O

酸性氯化銅蝕刻過程的主要化學反應在蝕刻過程中，氯銅中的Cu2+具有氧化性，能將板氧
化成Cu+ ,其反應如下：
蝕刻反應：Cu+CuCl2=Cu2Cl2
形成的Cu2Cl2是不易溶於水的,在有過量的Cl-存在下，能形成可溶性的絡合離子，其反應如下：
絡合反應： Cu2Cl2 +4Cl- =2[CuCl3]2-
隨著銅的蝕刻，溶液中的Cl+越來越多，蝕刻能力很快就會下降，直到最後失去效能。為保持蝕刻能力，可以過溶液再生的方式將Cu+重新生成Cu2+.恢復蝕刻能力.

蝕刻液的再生：
再生的原理主要是利用氧化劑將溶液中的Cu1+ 氧化成Cu2+。
再生方法一般有以下幾種。
1） 通氧氣或壓縮空氣再生：主要的再生反應為：2Cu2Cl2+4HCl+O2 ->4CuCl2+2H2O
但此方法再生反應速率很低。
2）氯氣再生：主要的再生反應為：Cu2Cl2+Cl2 ->2CuCl2由於氯氣是強氧化劑，直接通
氯氣是再生的最好方法。因為它的成本低，再生速率快。但是，很難做到使氯氣全部都參
加反應，如有氯氣溢出，會污染環境。故該法要求蝕刻設備密封。
3）電解再生：
主要的再生反應為：在直流電的作用下，在陽極：Cu1+ -e=Cu2+
在陰極：Cu1+ +e->Cu這種方法的優點是可以直接回收多餘的銅，同時又使Cu1+氧化成Cu2+，使蝕刻液得到再生。但是此方法的再生設備投入較大且。